Компании IBM и TDK разрабатывают новую разновидность энергонезависимой памяти, которая может заменить широко распространенную в настоящее время флэш-память.
До последнего времени IBM проводила исследования в сфере разработки памяти MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory), совмещающей достоинства динамической и флэш-памяти. Микросхемы MRAM отличаются высокой скоростью доступа к данным и вместе с тем являются энергонезависимыми. Кроме того, в отличие от флэш-памяти, характеристики чипов MRAM не ухудшаются во время эксплуатации.
Однако, как теперь сообщает CNET News со ссылкой на заявления представителей IBM, в корпорации пришли к выводу, что в долгосрочной перспективе при производстве MRAM могут возникнуть проблемы, связанные с масштабированием технологических процессов. Поэтому корпорация приняла решение сделать упор на разработку так называемой памяти STT-RAM (Spin Torque Transfer RAM).
Принцип работы STT-RAM сводится к изменению направления магнитного поля частиц материала памяти под воздействием электрического тока. Смена направления поля приводит к изменению сопротивления элемента, что расценивается как переход из состояния логического ноля в состояние логической единицы или наоборот.
Предполагается, что основным конкурентом чипов STT-RAM станет память с изменяемым фазовым состоянием (PRAM).
Компании IBM и TDK рассчитывают представить первые образцы памяти STT-RAM, выполненные по 65-нанометровой технологии, в течение четырех лет.
21.08.07 10:08 | Раздел: Наука и техника
Diet for quick weight loss: https://sites.google.com/site/weightlossluxury/weight-loss---academy-of-nutrition-and-dietetics For Google: weight loss results after bariatric surgery best way to lose baby weight after birth can i lose weight by not eating sweets best amino acids for women weight loss does oversleeping make you lose weight weight loss from nissen fundoplication green tea with stevia weight loss herbal weight loss compounds weight loss calculator for nursing mother